Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究  

出　　处：《中国科技成果》2015年第21期31-31,35,共2页China Science and Technology Achievements

基　　金：国家重点基础研究发展计划（973）项目（2011CB302000）.

摘　　要：项目通过氧化锌晶体基片研制、Ⅱ族氧化物半导体外延薄膜的表面界面工程、外延生长与极化效应研究、杂质调控、以及新型激光微腔设计，最终实现基于Ⅱ族氧化物半导体的低阈值激光器件和紫外光电探测器件。项目已经能够生长出50mm直径ZnO单晶基片，位错密度低于450／cm^2，Li、K等杂质比水热法商品基片低一个数量级以上。

关 键 词：氧化物半导体 半导体光电子器件 基础研究 晶体基片 光电探测器件 外延生长 激光器件 ZNO单晶 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]