Ag_4团簇和纳米线结构在Si(001)表面吸附的第一性原理研究  

作　　者：张彩霞[1] 韩玉磊[1] 曾永志[1] 

机构地区：[1]福州大学物理与信息工程学院,福建福州350116

出　　处：《化学工程与装备》2015年第11期14-16,共3页Chemical Engineering & Equipment

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金资助项目(11404060)

摘　　要：基于密度泛函理论的第一性原理方法,我们研究了Ag_4团簇和纳米线结构吸附在Si(001)表面的晶格结构和结构体系的稳定性。首先研究了单个Ag原子吸附在Si(001)表面的三个活性吸附位P、M、T,在此基础上,我们进一步研究了Ag_4团簇和纳米线在Si(001)-2×4表面吸附的五种结构。对于纳米线性结构,P吸附位的数目会影响吸附结构的稳定性,处于P吸附位的Ag原子数目越多,结构稳定性越强;而Ag_4团簇结构的吸附比纳米线结构更稳定。

关 键 词：第一性原理 Ag4团簇和纳米线结构 Si(001)表面 吸附能 电子态密度 

分 类 号：TB383.1[一般工业技术—材料科学与工程] O614.122[理学—无机化学]