宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望  

作　　者：张伟儒[1] 陈建荣[1] 

机构地区：[1]北京中材人工晶体研究院有限公司

出　　处：《新材料产业》2015年第12期18-23,共6页Advanced Materials Industry

摘　　要：半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石，以硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料为代表第1代、第3代半导体技术，奠定了20世纪微电子和光电子工业的基础，极大地推动了社会的进步和变革。随着技术的发展，传统的Si和GaAs半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。因此第3代半导体材料（即宽禁带半导体材料，禁带宽度大于2．2eV）正日益受到人们的重视。

关 键 词：宽禁带半导体材料 AIN 现代信息技术 GaAs半导体 展望 半导体技术 光电子工业 理论极限 

分 类 号：O649[理学—物理化学] TQ133.1[理学—化学]