退火工艺对基于InGaZnO薄膜晶体管性能的影响  

作　　者：聂国政[1] 黄笃之[1] 钟春良[2] 许英[1] 

机构地区：[1]湖南科技大学物理与电子科学学院,湖南湘潭411201 [2]湖南工业大学理学院,湖南株洲412007

出　　处：《湖南科技学院学报》2015年第10期19-21,共3页Journal of Hunan University of Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金(项目编号11447212;11 204076;11247003);湖南省自然科学基金项目(项目编号2015JJ3060)资助

摘　　要：铟嫁锌氧化物(IGZO)以其迁移率高、均匀性好、对可见光透明、制备温度低和成本低等优点被认为是金属氧化物薄膜晶体管(Thin-Film Transistor(TFT))理想的有源材料,采用磁控溅射法制备了基于Si O2绝缘层的IGZO-TFT器件。研究铟嫁锌氧化物有源层薄膜的前退火工艺(pre-annealing)和后退火工艺(post-annealing)对IGZO-TFT器件的电学性能的影响,其电学测试数据表明,相对于后退火工艺(post-annealing),前退火工艺处理的IGZO-TFT器件的展示了更高的场效应迁移率(3.5 cm2V-1s-1)和更好的开关比(107)。同时,十八烷基三氯硅烷(OTS)对改善Si O2绝缘层与铟嫁锌氧化物半导体有源层之间的界面接触效果显著。

关 键 词：金属氧化物 薄膜晶体管 退火 表面修饰 

分 类 号：TN321.5[电子电信—物理电子学]