纳米工艺下集成电路物理集成设计人才的培养探索  

作　　者：林远镇 韦素芬[2] 潘金艳[2] 

机构地区：[1]厦门紫光展锐科技有限公司 [2]集美大学信息工程学院

出　　处：《电子世界》2015年第23期57-58,共2页Electronics World

基　　金：集美大学教育教学改革项目(C15555)对本课题的资助

摘　　要：本文介绍16nm FinFET工艺下集成电路的物理集成流程,分析了先进工艺下物理集成工程师所面临的问题和挑战。为了更好地适应新的要求,对我国高校IC人才培养的相关环节提出了探索性的建议。

关 键 词：设计流程 物理集成 FinFET工艺 人才培养 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]