韦素芬

作品数:7被引量:8H指数:2
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供职机构:集美大学更多>>
发文主题:氧化镓磁控溅射SUB阈值电压解析模型阈值电压更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术自然科学总论文化科学更多>>
发文期刊:《吉林省教育学院学报》《大众科技》《电子世界》《集美大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:福建省自然科学基金福建省农科院青年科技人才创新基金福建省科技计划重点项目更多>>
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溅射温度调制氧化镓生长结构及光透射
《集美大学学报(自然科学版)》2023年第3期279-288,共10页刘毅 韦素芬 单婵 吴梦春 陈红霞 刘璟 李明逵 
福建省科技厅高校对外合作项目(2020I0022);福建省自然科学基金青年项目(2020J05151,2020J0515)。
采用射频磁控溅射法,在(0001)蓝宝石衬底上制备了超宽带隙Ga 2 O 3薄膜。在功率200 W、用时20 min、氧气和氩气气氛(氧气2.5%)总流量40 mL/min,以及不同的溅射温度(25℃(室温)、200℃、300℃、400℃、500℃、600℃)下,分别制备了Ga_(2)O...
关键词:薄膜 磁控溅射 氧化镓 柱状结构 溅射温度 光波导 
杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型
《集美大学学报(自然科学版)》2021年第5期472-480,共9页韦素芬 陈红霞 李诗勤 黄长斌 刘璟 
福建省自然科学基金引导性项目(2019H0022)。
采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律。设计杂质纵向高斯分布的轻掺杂纳米UTBB-SOI MOSFET,用虚拟阴极处反型载流子浓度来定义阈值电压的方法,为器...
关键词:UTBB-SOI MOSFET 高斯分布 虚拟阴极 阈值电压 
纳米工艺下集成电路物理集成设计人才的培养探索
《电子世界》2015年第23期57-58,共2页林远镇 韦素芬 潘金艳 
集美大学教育教学改革项目(C15555)对本课题的资助
本文介绍16nm FinFET工艺下集成电路的物理集成流程,分析了先进工艺下物理集成工程师所面临的问题和挑战。为了更好地适应新的要求,对我国高校IC人才培养的相关环节提出了探索性的建议。
关键词:设计流程 物理集成 FinFET工艺 人才培养 
桥接故障的物理提取和高效测试
《集美大学学报(自然科学版)》2014年第4期314-320,共7页韦素芬 
福建省科技计划重点项目(2013H0035);集美大学李尚大学科建设基金项目
为桥接故障候选点建立7种基于版图的物理模型,给出提取故障候选点的方法.为了更有效地利用芯片设计周期,减少测试图形数量,提出一种以确定性桥接故障测试为主体,有效结合内置多重固定测试的综合型测试方法.用90 nm的两个芯片进行自动测...
关键词:桥接故障 故障候选点 确定性桥接故障 测试覆盖率 
智能仪器课程教学改革的实践与探索被引量:5
《甘肃联合大学学报(自然科学版)》2011年第5期100-103,共4页曾桂英 韦素芬 
福建省青年人才创新项目(2008F3078);集美大学教育教改项目(JY09138)
以培养学生创新意识及实际应用能力,提高学生就业竞争力和可持续发展能力为目标,对智能仪器课程教学内容、实验内容及教学方法等进行改革探索:引进案例教学方法,改革教学模式,激发学生的学习热情;不断调整教学内容,在保证系统基本架构...
关键词:智能仪器 教学改革 案例教学 创新意识 
《超大规模集成电路与系统导论》双语教学方法学的研究与实践被引量:1
《吉林省教育学院学报》2011年第2期132-134,共3页韦素芬 庄铭杰 
集美大学教育教改项目(JY09138)
《超大规模集成电路与系统导论》是电子科学与技术学科微电子工程专业的重要专业理论课。该课程采用双语教学的重点和意义是:使学生能正确理解并熟练掌握集成电路与系统设计所用到的专业名词、理论概念以及计算机辅助工具各个内容的全...
关键词:超大规模集成电路 前端设计 后端设计 设计流程 双语教学 
深亚微米SOC设计的去耦电容优化方法学被引量:2
《大众科技》2010年第1期47-49,共3页韦素芬 梁宇 
随着集成电路工艺尺寸进入超深亚微米数量级,电源电压相应降低,而时钟频率却不断提高,电源网格中的动态电流变化率越来越大,使得动态电源压降(IR Drop)的问题更突出。在这种工艺按比例缩小的趋势下,去耦电容(decap电容)在电源网格中的...
关键词:去耦电容 电源电压降 电源噪声 电源网格 
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