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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:段恒利
机构地区:[1]四川工商学院
出 处:《科技与企业》2015年第24期187-187,共1页Science-Technology Enterprise
摘 要:前言 为了增加电源功率的密度,务必采用将双极晶体管吸收电路高频化的手段。电容器电源中的开关器件的安全是一个很重要的问题,为了保证它的安全。务必采用以串联谐振式所组成的电容器,并以它的充电电源为基础。本文研究了影响IGBT的因素,并研究了对于尖峰电压的取值。本文首先介绍了尖峰电压的简单产生机理,随后对抑制尖峰电压的几种方法做了简单描述,然后简单介绍了吸收电路,最后介绍了吸收电路的基本的工作思路。
关 键 词:吸收电路 尖峰电压 充电电源 电源功率 高频电容器 双极晶体管 电容电压 电感电流 谐振式 缓冲电路
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
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