半导体器件寿命影响因素分析及处理方法  

作　　者：梁晓琳[1] 包本刚[1] 张丹[1] 

机构地区：[1]湖南科技学院,湖南永州425199

出　　处：《物联网技术》2016年第1期78-80,共3页Internet of things technologies

基　　金：永州市2014年度指导性科技项目(永科发(2014年)17号文件);湖南省教育厅科研项目(14C0485);湖南科技学院重点学科建设项目(电路与系统)

摘　　要：浪涌和静电是影响半导体器件寿命的重要因素。为提高半导体器件的寿命指标,文中给出了应用于模拟电路的电源软启动电路。该电路采用了RC充电原理,可使半导体器件上的电压逐渐加上,而不会产生有损于半导体器件的浪涌;文中又给出了一款应用于数字电路中的浪涌消除电路,该电路采用了分频采样、移位寄存和计算判断方法,可有效消除因控制开关或器件管脚接触不良产生的高低电平交替出现的浪涌信号,该设计与同类浪涌消除或抖动信号消除电路相比,其时序延时仅为5 ms。

关 键 词：半导体器件 寿命 浪涌 静电 软启动 消浪涌电路 

分 类 号：TN709[电子电信—电路与系统] TN307