Langmuir探针对以SiCl_4/H_2低温沉积多晶硅薄膜过程的在线检测  

作　　者：祝祖送[1] 尹训昌[1] 尤建村[1] 

机构地区：[1]安庆师范学院物理与电气工程学院,安徽安庆246011

出　　处：《池州学院学报》2015年第6期33-35,共3页Journal of Chizhou University

基　　金：安徽省教育厅资助项目(AQKJ2014B019);安庆师范学院青年科研基金资助的课题(044-K10025000031)

摘　　要：利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl_4/H_2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜。采用加热可调谐Langmuir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系统分析了影响多晶硅薄膜沉积的各工艺参数——射频功率、反应压强、氢流量和氢稀释度对电子特性的影响,并对实验结果进行了分析和讨论。

关 键 词：LANGMUIR探针 电子特性 SiCl4/H2等离子体 沉积速率 

分 类 号：O53[理学—等离子体物理] O46[理学—物理]