黑硅技术的专利分析  

作　　者：姚日英[1] 宫龙飞 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心 [2]苏州协鑫光伏科技有限公司

出　　处：《太阳能》2016年第3期38-39,共2页Solar Energy

摘　　要：针对黑硅技术进行专利技术综述分析,对国内外专利申请情况进行梳理,为国内黑硅技术研究发展提供参考。

关 键 词：黑硅 飞秒激光 离子束刻蚀 金属诱导辅助 电化学 专利分析 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]