热氧化温度对Cr和N共掺ZnO薄膜结构及性能的影响  

作　　者：孙可心[1,2,3] 金哲明 杨芳淼 谭明月 姚成宝[1,2,3] 孙文军[1,2,3] 

机构地区：[1]光电带隙材料教育部重点实验室 [2]黑龙江省先进功能材料与激发态重点实验室 [3]哈尔滨师范大学,黑龙江哈尔滨150025

出　　处：《科技资讯》2015年第32期241-243,共3页Science & Technology Information

基　　金：黑龙江省自然基金(F201202);黑龙江省教育厅骨干教师项目(125G031);黑龙江省研究生创新科研资金项目(No.YJSC X2011-414HLJ);The Natural Science Foundation of Heilongjiang Province under Grant(A201304)

摘　　要：首先利用共溅射方法在石英玻璃衬底上生长Zn_3N_2:Cr薄膜,然后用热氧化方法制备了Cr和N共掺ZnO薄膜,研究了不同热氧化温度对薄膜的结构、光学带隙及磁学性能的影响,XRD结果表明,薄膜样品具有纤锌矿结构,且沿c轴择优生长,随着热氧化温度的增加,样品的晶格常数c几乎没有改变,而晶粒尺寸先增大后减小。样品的吸收光谱表明温度的升高使薄膜样品的吸收边发生蓝移,即薄膜样品带隙值增大,磁性测试表明500℃热氧化温度获得的薄膜样品室温铁磁性最强。

关 键 词：热氧化 ZnO (Cr N)薄膜 带隙 室温铁磁性 

分 类 号：O474[理学—半导体物理]