高鲁棒性低功耗单片低噪声放大器电路  

作　　者：俞俊学[1] 陈伟[2] 

机构地区：[1]浙江工业大学信息工程学院,浙江杭州310023 [2]浙江大学航空航天学院,浙江杭州310027

出　　处：《通讯世界》2016年第4期272-274,共3页Telecom World

摘　　要：基于0.15um GaAs pHMET工艺技术,采用电流复用偏置结构及有源偏置技术,研制了一款高鲁棒性紧凑型低功耗单片低噪声放大器芯片。该款放大器具有两级拓扑结构,采用有源偏置技术弥补工艺波动现象造成的芯片性能波动,同时通过改进匹配网络结构进一步优化芯片的噪声系数和缩小电路尺寸。在偏置电压为5V的条件下,放大器的工作带宽为2~8GHz,增益和噪声系数分别为24.7±0.7d B和1.18±0.1d B,电路总电流仅为20m A。芯片尺寸为2.5mm×1mm。与常规工艺和技术所设计的低噪声芯片和其他类型工作频率的芯片相比,噪声系数和电路功耗方面具有明显的优势。

关 键 词：电流复用 紧凑型 低功耗 有源偏置 鲁棒性 

分 类 号：TN72[电子电信—电路与系统]