SiN_x:H膜沉积压强与扩散薄层电阻的匹配性研究  

作　　者：王敬蕊[1] 苏树兵[1] 诸葛霞[1] 

机构地区：[1]宁波工程学院

出　　处：《海峡科技与产业》2016年第3期81-82,共2页Technology and Industry Across the Straits

摘　　要：利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在多晶硅片上生长Si N_X:H膜,研究了不同沉积压强与Si N_X:H膜折射率和钝化效果的关系。在沉积压强为1.4Torr时,Si N_X:H膜的折射率和钝化效果均达到理想的范围。对于扩散层电阻为80Ω/□、Si N_X:H膜的厚度为(83±2)nm、折射率在2.03时,制得的太阳电池开路电压和短路电流最高,电池效率达到17.8%。

关 键 词：沉积压强 薄层电阻 短波响应 SI N薄膜 

分 类 号：TM621.2[电气工程—电力系统及自动化]