28nm SoC芯片设计方法及流程实现  

作　　者：彭进[1] 祁耀亮 

机构地区：[1]中芯国际集成电路制造有限公司,上海浦东201203 [2]北京清芯华创投资管理有限公司,北京100191

出　　处：《集成电路应用》2016年第5期22-26,共5页Application of IC

摘　　要：研究28nm SoC芯片的设计方法,探讨流程实现以及需要考虑的相关因素,重点在于设计中如何实现低功耗、高速度,并且在低功耗与高速度之间达到平衡,实现芯片的最佳设计。在设计中需要使用先进的设计流程以及严格的Sign-Off标准,同时,DFM保证芯片流片量产的成功以及稳定的良率。为实现低功耗,需要使用多个电源域(Power Domain)、门控时钟技术(Clock Gating)以及动态电压及频率调节(DVFS)等;为追求高速度,需要选择高速单元库(High Speed Library)和高速存储器(High Speed SRAM),尽量在关键路径使用LVT或ULVT。

关 键 词：28nm SOC设计 DFM 多个电源域 门控时钟技术 高速单元库 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]