欧盟为5G打造Ⅲ-Ⅴ族CMOS技术  

出　　处：《半导体信息》2016年第2期19-20,共2页Semiconductor Information

摘　　要：欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOSSoC技术整合III—V族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合III-V族晶体管通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。

关 键 词：CMOS技术 欧盟 互补金属氧化物半导体 技术整合 纳米半导体 规格要求 雷达系统 III 

分 类 号：TN912.3[电子电信—通信与信息系统]