SiC薄膜的制备工艺研究进展  

The progress of si-c film making technology

作　　者：艾学正 范梦慧[1] 谢泉[1] 王凯[1] 

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院,贵州贵阳550025

出　　处：《纳米科技》2015年第5期13-18,共6页

基　　金：国家自然科学基金项目（61264004）,科技部国际科技合作专项项目（2008DFA52210）,贵州省科技攻关项目（黔科合GY字[201113015）,贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目（黔科合人才团队[201114002）,贵州省国际科技合作项目（黔科合外G字[2012]7004.[2013]7003）.贵州省教育厅“125”重大科技专项项目（黔教合重大专项字[20121003）,贵阳市科技计划项目（筑科合同[2012101]2-16）,贵州省自然科学基金项目（黔科合J字[201412052）,贵州大学引进人才科研资助项目（贵大人基合字[20121022）,贵州省青年英才培养工程项目（黔省专合字[20121152）,贵州省科技厅、贵州大学联合资金项目（黔科合LH字[2014]7610）.

摘　　要：作为新一代的半导体材料，SiC具有优良的化学物理性质，因此，SiC薄膜的制备工艺也越来越受到人们的关注。本文主要对当前SiC薄膜的制备工艺进行详细的研究介绍，并进一步总结讨论了各种制备工艺的优缺点。As a new generation of semiconductor materials,Silicon carbide （SIC） have excellent chemical and phySiCal properties. Therefore, the preparation of SiC thin film is getting more and more attention. A detailed study on the preparation process of SiC thin film is introduced in this paper. And the advantages and disadvantages of various preparation processes are also discussed.

关 键 词：SiC薄膜结构性质 物理汽相 沉积化学 汽相沉积 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]