汽相沉积

作品数:140被引量:176H指数:7
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相关作者:靳九成朱丽萍卞进良赵炳辉叶志镇更多>>
相关机构:中国科学院浙江大学上海交通大学国际商业机器公司更多>>
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AIXTRON凭硅基氮化镓系统AIX G5+C获颁商业杂志荣誉奖项
《电子与封装》2016年第5期6-6,共1页李星悦 张礼怿 赵博 
全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)系统AIX G5+C,获商业杂志Compound Semiconductor颁授2016年CS High-Volume Manufacturing Award奖项。该奖项是业界对国际化合物半导体行...
关键词:MOCVD系统 AIX 氮化镓 SEMICONDUCTOR 硅基 杂志 商业 化学汽相沉积 
Growth kinetics controlled rational synthesis of germanium nanotowers in chemical vapor deposition
《Science China Materials》2015年第11期877-883,共7页陈本松 孟国文 李祥东 李安平 朱晓光 
supported by the National Key Basic Research Program of China (2013CB934304);the National Natural Science Foundation of China (21107113 and 11274312);the Postdoctoral Science Foundation of China (2012M510164);conducted at the Center for Nanophase Materials Sciences, which is funded by the US Department of Energy (DOE) Scientific User Facilities Division
This study demonstrated a simple method for gold(Au) catalyzed atmospheric pressure chemical vapor deposition(CVD) of tower-like germanium(Ge) nanostructures(denoted as Ge nanotowers) on silicon substrate. The Ge nano...
关键词:纳米 化学气相沉积 化学汽相沉积 化学沉积 VLS VSS 
SiC薄膜的制备工艺研究进展
《纳米科技》2015年第5期13-18,共6页艾学正 范梦慧 谢泉 王凯 
国家自然科学基金项目(61264004),科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210),贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[201113015),贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[201114002),贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004.[2013]7003).贵州省教育厅“125”重大科技专项项目(黔教合重大专项字[20121003),贵阳市科技计划项目(筑科合同[2012101]2-16),贵州省自然科学基金项目(黔科合J字[201412052),贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字[20121022),贵州省青年英才培养工程项目(黔省专合字[20121152),贵州省科技厅、贵州大学联合资金项目(黔科合LH字[2014]7610).
作为新一代的半导体材料,SiC具有优良的化学物理性质,因此,SiC薄膜的制备工艺也越来越受到人们的关注。本文主要对当前SiC薄膜的制备工艺进行详细的研究介绍,并进一步总结讨论了各种制备工艺的优缺点。
关键词:SiC薄膜结构性质 物理汽相 沉积化学 汽相沉积 
VAD法高速沉积制备芯棒的研究被引量:3
《现代传输》2015年第1期34-36,共3页简晓松 陈海斌 李秀鹏 李应 张冲 陈剑 
近年来,光纤预制棒的制造在中国呈爆炸式的发展,各大光纤光缆厂家为了摆脱对进口光纤预制棒的依赖,都纷纷将目光瞄准光纤预制棒项目,光纤预制棒项目已成为增强竞争力的有力措施之一。但目前国内光纤预制棒制造技术发展缓慢,特别是对光...
关键词:大规模制备 高速沉积 VAD 芯棒 光纤预制棒 PCVD法 制造技术 汽相沉积 
中科院上海微系统所制备出六方氮化硼单晶畴
《红外》2015年第2期F0004-F0004,共1页
据《中国科学报》报道,1月25日,记者从中科院上海微系统所获悉,该所卢光远和吴天如等科研人员采用化学汽相沉积(CVD)方法,成功在铜镍合金衬底上制备出了单层高质量六方氮化硼(h-BN)单晶畴,其单品面积较之前文献报道的高出约两...
关键词:六方氮化硼 微系统 中科院 晶畴 制备 上海 化学汽相沉积 科研人员 
金刚石电子材料生长的研究进展被引量:1
《半导体技术》2013年第9期641-650,680,共11页袁明文 
简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石...
关键词:材料生长 金刚石膜 化学汽相沉积(CVD) 超纳米结晶金刚石(UNCD) 宽带隙 表征 
紫外光辅助化学汽相沉积在InSb焦平面探测器中的应用
《内江科技》2012年第7期100-100,95,共2页李小宏 
本文系统描述了利用紫外光辅助化学汽相沉积(UVCVD)技术在InSb芯片背面减薄抛光后沉积SiO_2薄膜,作为减反膜以减少芯片表面对红外光的反射。通过测量SiO_2薄膜的光谱透过率,并利用红外焦平面测试系统测试SiO_2膜对器件性能的影响,表明UV...
关键词:紫外光辅助化学汽相沉积 SiO_2膜 减反 
高密度诱导耦合等离子制备P型ZnO半导体薄膜
《曲阜师范大学学报(自然科学版)》2012年第1期68-70,共3页隋鹏飞 黄士勇 戴振宏 
山东省自然科学杰出青年基金(JQ200802);教育部新世纪优秀人才支持计划
利用一种定制设计的诱导耦合等离子体辅助射频(RF)磁控溅射沉积技术,在玻璃衬底上制备了N掺杂的P型氧化锌(ZnO∶N)薄膜体系,并使用了反应Ar+N2混合气体烧结的ZnO靶材.在不同技术条件下制备了不同表面平整度的薄膜体系,并利用扫描隧道显...
关键词:化学汽相沉积 纳米结构 氯化锌半导体 
《新型炭材料》第24卷总目次
《新型炭材料》2009年第4期I0001-I0006,共6页
关键词:炭材料 英文 多壁碳纳米管 炭纤维 化学气相沉积 化学汽相沉积 化学沉积 石墨化炉 复合材料 SWCNT 目次 
Internal stress in MPCVD diamond films on the Si substrate based on XRD line shape被引量:3
《Optoelectronics Letters》2009年第4期273-275,共3页李晓伟 李翠平 高成耀 黄梦雪 杨保和 
supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576011);Key Laboratory Foundation of Tianjin(No.06TXTJJC14701);Colleges and Universities Foundation of Tianjin(No.20050519)
The diamond films adherent to Si substrate are deposited with the microwave plasma CVD(MPCVD) at microwave powers of 6000 W and 4000 W from 6 h to 10 h,respectively,the internal stresses of the films are measured by X...
关键词:X射线衍射测量 金刚石薄膜 化学汽相沉积 微波等离子体化学气相沉积法 硅衬底 内应力 宏观应力 线形 
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