黄士勇

作品数：11被引量：19H指数：3
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供职机构：南洋理工大学更多>>
发文主题：磁控溅射氢化半导体电子态MONTE-CARLO法更多>>
发文领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《真空》《曲阜师范大学学报（自然科学版）》《真空电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金山东省教委基金山东省自然科学杰出青年基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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高密度诱导耦合等离子制备P型ZnO半导体薄膜
《曲阜师范大学学报（自然科学版）》2012年第1期68-70,共3页隋鹏飞 黄士勇 戴振宏 
山东省自然科学杰出青年基金(JQ200802);教育部新世纪优秀人才支持计划
利用一种定制设计的诱导耦合等离子体辅助射频(RF)磁控溅射沉积技术,在玻璃衬底上制备了N掺杂的P型氧化锌(ZnO∶N)薄膜体系,并使用了反应Ar+N2混合气体烧结的ZnO靶材.在不同技术条件下制备了不同表面平整度的薄膜体系,并利用扫描隧道显...
关键词：化学汽相沉积 纳米结构 氯化锌半导体 
基片和溅射参数对CuInSe_2量子点的影响
《固体电子学研究与进展》2004年第2期249-252,263,共5页黄士勇 曲风钦 戴振宏 苗晔 钟玉荣 王仲训 
山东省奖励基金的资助 ( wlolk2 )
用 Cu、In、Se三元扇形复合靶 ,采用射频磁控反应溅射技术 ,在低温 Indium Tin Oxide( ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形 Cu In Se2 ( CIS)量子点。制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节。该制备方法具有成本低...
关键词：量子点 半导体 平均半径 
对称量子点花样体系电容谱
《中国科学（G辑）》2003年第1期83-88,共6页戴振宏 孙金祚 张立德 隋鹏飞 黄士勇 卢卯旺 
国家自然科学基金(批准号:10074064);烟台大学青年基金(批准号:WL0227)
利用从头计算方法,即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan(UHFR)方程,计算对称多量子点花样体系的基态能,进而研究它们的电子电容谱。量子点花样中的每一个量子点,采用球形有限深限制势阱。结果表明,计算方法和理论模型不仅...
关键词：对称量子点花样体系 电容谱 量子力学 从头计算 人工刻蚀 UHFR 多电子态 纳米科学 半导体器件 制作工艺 
球型量子点电子填充性质的研究
《烟台大学学报（自然科学与工程版）》2002年第2期109-112,123,共5页隋鹏飞 杨其艳 戴振宏 黄士勇 
国家自然科学基金资助项目 (10 0 740 6 4)
利用基于高斯基函数的非限制Hartree Fock Roothaan (UHFR)方法 ,研究球型量子点的剩余电子填充效应 ,量子点的三维限制势采用了有限深势阱 .我们主要考虑量子点内电子相互作用 ,对于试探波函数中高斯基函数 ,采用了简化计算的两参数法 ...
关键词：球型量子点 电子填充性质 UHFR 电子态 剩余电子填充效应 电子相互作用 基态能 半导体 
无马达驱动的旋转圆柱形磁控溅射器被引量：1
《真空科学与技术》2001年第5期416-418,共3页黄士勇 曲凤钦 苗晔 钟玉荣 孟兆坤 傅胜奇 
在大型薄膜连续生产线中 ,磁控溅射器的溅射速率、使用周期是影响生产效率与成本的重要因素。本文提出一种新型的无马达驱动的具有高溅射速率、高靶材利用率、长的靶使用周期、安装与使用简单的磁控溅射器。可广泛应用于各类大。
关键词：磁控溅射 水冷系统 旋转圆柱形磁控溅射器 薄膜 生产设备 
WO_3电变色材料的氢化技术研究
《功能材料》2001年第4期417-418,共2页黄士勇 曲风钦 苗晔 孟兆坤 辛志荣 
全固态电变色器件制作工艺复杂 ,氢化 (或锂化 )工艺是制备WO3电变色器件的关键技术。本文主要论述氢化工艺的制备方法、工艺过程及实验结果等。
关键词：电致变色 氢化 透光率 三氧化钨 
全固态电致变色器件工艺技术研究被引量：3
《真空科学与技术》2001年第2期170-172,共3页黄士勇 曲风钦 苗晔 孟兆坤 
山东省教委基金资助项目
提出一种新型结构与材料的全固态电致变色器件 ,及其氢化技术和制作工艺。在实验室中研制出 2cm× 2cm可重复转换、性能优良的电致变色器件 ,为大面积电致变色器件连续自动生产线的研制作了必要的技术准备。
关键词：氢化 透射比 全固态电级致变色器件 工艺技术 薄膜制备 
高靶材利用率的新型磁控溅射器被引量：6
《真空科学与技术》2000年第2期123-125,共3页黄士勇 曲凤钦 苗晔 孟兆坤 
在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结...
关键词：磁控溅射器 使用周期 薄膜生产 靶材利用率 
用MonteCarlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布被引量：3
《真空电子技术》1999年第5期38-42,共5页黄士勇 曲风钦 苗晔 董维义 
在大型薄膜生产设备中，膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ 方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法，计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影响，并把计算结果与实际测量进行了...
关键词：膜厚分布 磁控溅射器 MONTE-CARLO法 薄膜 
真空和射频溅射对ITO膜性能的影响被引量：6
《真空》1999年第2期15-17,共3页黄士勇 曲凤钦 苗晔 
为进一步探求磁控溅射的机理，本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜的方法，由沉积后的ＩＴＯ膜的特性来揭示不同溅射方法的机制。
关键词：磁控溅射 ITO膜 薄膜 锡铟氧化物 性能 
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