对称量子点花样体系电容谱  

作　　者：戴振宏 孙金祚[2] 张立德[1] 隋鹏飞 黄士勇[2] 卢卯旺 

机构地区：[1]中国科学院固体物理研究所,合肥230031 [2]烟台大学物理系

出　　处：《中国科学（G辑）》2003年第1期83-88,共6页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10074064);烟台大学青年基金(批准号:WL0227)

摘　　要：利用从头计算方法,即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan(UHFR)方程,计算对称多量子点花样体系的基态能,进而研究它们的电子电容谱。量子点花样中的每一个量子点,采用球形有限深限制势阱。结果表明,计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰,并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构。它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法。

关 键 词：对称量子点花样体系 电容谱 量子力学 从头计算 人工刻蚀 UHFR 多电子态 纳米科学 半导体器件 制作工艺 

分 类 号：O413.1[理学—理论物理]