苗晔

作品数：9被引量：20H指数：3
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供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
发文主题：射频溅射磁控溅射氢化MONTE-CARLO法MONTE更多>>
发文领域：一般工业技术理学电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料》《真空电子技术》《固体电子学研究与进展》《真空》更多>>
所获基金：山东省教委基金更多>>
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CuInSe_2纳米颗粒膜的磁控溅射制备和特性分析被引量：1
《真空电子技术》2004年第3期40-42,共3页苗晔 孙海燕 
采用Cu,In,Se三元扇形复合靶,在玻璃基片上用射频磁控反应溅射技术制备CuInSe2(CIS)纳米颗粒膜。CIS颗粒的大小可通过改变溅射功率、基片温度和膜厚来调节。测量并讨论了所制备的CIS纳米颗粒膜的内部晶相结构、电阻率、导电类型以及光...
关键词：铜铟硒 射频溅射 纳米颗粒膜 
基片和溅射参数对CuInSe_2量子点的影响
《固体电子学研究与进展》2004年第2期249-252,263,共5页黄士勇 曲风钦 戴振宏 苗晔 钟玉荣 王仲训 
山东省奖励基金的资助 ( wlolk2 )
用 Cu、In、Se三元扇形复合靶 ,采用射频磁控反应溅射技术 ,在低温 Indium Tin Oxide( ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形 Cu In Se2 ( CIS)量子点。制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节。该制备方法具有成本低...
关键词：量子点 半导体 平均半径 
无马达驱动的旋转圆柱形磁控溅射器被引量：1
《真空科学与技术》2001年第5期416-418,共3页黄士勇 曲凤钦 苗晔 钟玉荣 孟兆坤 傅胜奇 
在大型薄膜连续生产线中 ,磁控溅射器的溅射速率、使用周期是影响生产效率与成本的重要因素。本文提出一种新型的无马达驱动的具有高溅射速率、高靶材利用率、长的靶使用周期、安装与使用简单的磁控溅射器。可广泛应用于各类大。
关键词：磁控溅射 水冷系统 旋转圆柱形磁控溅射器 薄膜 生产设备 
WO_3电变色材料的氢化技术研究
《功能材料》2001年第4期417-418,共2页黄士勇 曲风钦 苗晔 孟兆坤 辛志荣 
全固态电变色器件制作工艺复杂 ,氢化 (或锂化 )工艺是制备WO3电变色器件的关键技术。本文主要论述氢化工艺的制备方法、工艺过程及实验结果等。
关键词：电致变色 氢化 透光率 三氧化钨 
全固态电致变色器件工艺技术研究被引量：3
《真空科学与技术》2001年第2期170-172,共3页黄士勇 曲风钦 苗晔 孟兆坤 
山东省教委基金资助项目
提出一种新型结构与材料的全固态电致变色器件 ,及其氢化技术和制作工艺。在实验室中研制出 2cm× 2cm可重复转换、性能优良的电致变色器件 ,为大面积电致变色器件连续自动生产线的研制作了必要的技术准备。
关键词：氢化 透射比 全固态电级致变色器件 工艺技术 薄膜制备 
高靶材利用率的新型磁控溅射器被引量：6
《真空科学与技术》2000年第2期123-125,共3页黄士勇 曲凤钦 苗晔 孟兆坤 
在现代大型薄膜连续生产线中 ,其生产效率主要受以下两因数的影响 :溅射器的沉积速率和靶材的使用周期。本实验研制了一种圆筒形靶材绕溅射器中心轴线匀速旋转 ,并且与溅射器之间用螺丝固定连接的新型磁控溅射器。论述了新型溅射器的结...
关键词：磁控溅射器 使用周期 薄膜生产 靶材利用率 
用MonteCarlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布被引量：3
《真空电子技术》1999年第5期38-42,共5页黄士勇 曲风钦 苗晔 董维义 
在大型薄膜生产设备中，膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ 方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法，计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影响，并把计算结果与实际测量进行了...
关键词：膜厚分布 磁控溅射器 MONTE-CARLO法 薄膜 
真空和射频溅射对ITO膜性能的影响被引量：6
《真空》1999年第2期15-17,共3页黄士勇 曲凤钦 苗晔 
为进一步探求磁控溅射的机理，本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜的方法，由沉积后的ＩＴＯ膜的特性来揭示不同溅射方法的机制。
关键词：磁控溅射 ITO膜 薄膜 锡铟氧化物 性能 
大型旋转圆柱形磁控溅射器被引量：1
《真空电子技术》1998年第4期39-41,共3页黄士勇 王德苗 曲风钦 苗晔 
提出并研制成功了一种新型旋转圆柱形磁控溅射器。由于该溅射器采用静止的电磁场及匀速旋转圆简形靶材的新型结构，因此它具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。可广泛适用于建筑物的幕墙玻璃等大型薄膜生产设备中。
关键词：圆柱形 磁控溅射器 靶材 利用率 薄膜 
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