曲风钦

作品数：7被引量：27H指数：3
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供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
发文主题：氢化ZNO压敏特性压敏电压膜厚更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《真空电子技术》《功能材料》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：山东省教委基金更多>>
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基片和溅射参数对CuInSe_2量子点的影响
《固体电子学研究与进展》2004年第2期249-252,263,共5页黄士勇 曲风钦 戴振宏 苗晔 钟玉荣 王仲训 
山东省奖励基金的资助 ( wlolk2 )
用 Cu、In、Se三元扇形复合靶 ,采用射频磁控反应溅射技术 ,在低温 Indium Tin Oxide( ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形 Cu In Se2 ( CIS)量子点。制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节。该制备方法具有成本低...
关键词：量子点 半导体 平均半径 
WO_3电变色材料的氢化技术研究
《功能材料》2001年第4期417-418,共2页黄士勇 曲风钦 苗晔 孟兆坤 辛志荣 
全固态电变色器件制作工艺复杂 ,氢化 (或锂化 )工艺是制备WO3电变色器件的关键技术。本文主要论述氢化工艺的制备方法、工艺过程及实验结果等。
关键词：电致变色 氢化 透光率 三氧化钨 
全固态电致变色器件工艺技术研究被引量：3
《真空科学与技术》2001年第2期170-172,共3页黄士勇 曲风钦 苗晔 孟兆坤 
山东省教委基金资助项目
提出一种新型结构与材料的全固态电致变色器件 ,及其氢化技术和制作工艺。在实验室中研制出 2cm× 2cm可重复转换、性能优良的电致变色器件 ,为大面积电致变色器件连续自动生产线的研制作了必要的技术准备。
关键词：氢化 透射比 全固态电级致变色器件 工艺技术 薄膜制备 
Y掺杂对BaTiO_3系半导化薄膜PTCR特性的影响被引量：5
《功能材料》2001年第1期53-54,共2页沈良 曲风钦 宋世庚 
西部之光基金资助项目
介绍了Y掺杂对BaTiO3 系半导化薄膜PTCR特性的影响。实验发现 ,当Y掺杂浓度在 0 .1mol%～ 1.5mol%时 ,薄膜的室温电阻为 10～ 5 0Ω ,突变温区为 1℃。在 [Y3 + ] =0 .7mol%时 ,薄膜的升阻比达 10 6。实验结果表明 :薄膜的转变温度、升...
关键词：PTCR 掺杂浓度 钇掺杂 钛酸钡 半导体薄膜 
用MonteCarlo法模拟大型磁控溅射器的膜厚分布被引量：3
《真空电子技术》1999年第5期38-42,共5页黄士勇 曲风钦 苗晔 董维义 
在大型薄膜生产设备中，膜厚的横向均匀性是一项重要指标。本文提出用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ 方法模拟大型磁控溅射器膜厚横向分布的计算方法，计算了靶的几何结构及各种溅射参数对膜厚横向分布的影响，并把计算结果与实际测量进行了...
关键词：膜厚分布 磁控溅射器 MONTE-CARLO法 薄膜 
ZnO系低压压敏薄膜的喷雾热分解法制备及膜厚对其压敏特性影响的研究被引量：15
《功能材料》1999年第6期636-638,共3页贾锐 曲风钦 武光明 宋世庚 陶明德 
本研究首次报导了利用喷雾热分解法成功地制备出ＺｎＯ 低压压敏薄膜。沉积温度３５０ ℃，沉积时间２ｈ ，退火温度６５０ ℃，ＸＲＤ 谱表明薄膜已良好晶化且薄膜的生长具有取向性。所制备的薄膜的非线性系数 α可在７ ．９９ ～２２...
关键词：氧化锌 低压压敏薄膜 喷雾热分解 压敏电压 
大型旋转圆柱形磁控溅射器被引量：1
《真空电子技术》1998年第4期39-41,共3页黄士勇 王德苗 曲风钦 苗晔 
提出并研制成功了一种新型旋转圆柱形磁控溅射器。由于该溅射器采用静止的电磁场及匀速旋转圆简形靶材的新型结构，因此它具有靶材利用率高、使用周期长、换靶时间短等优点。可广泛适用于建筑物的幕墙玻璃等大型薄膜生产设备中。
关键词：圆柱形 磁控溅射器 靶材 利用率 薄膜 
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