球型量子点电子填充性质的研究  

Study on the Electron Fillings in Spherical Quantum Dots

作　　者：隋鹏飞[1] 杨其艳[2] 戴振宏[3] 黄士勇[1] 

机构地区：[1]烟台大学光电信息科学技术学院,山东烟台264005 [2]烟台大学计算机学院,山东烟台264005 [3]中国科学院固体物理研究所,安徽合肥230031

出　　处：《烟台大学学报（自然科学与工程版）》2002年第2期109-112,123,共5页Journal of Yantai University(Natural Science and Engineering Edition)

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (10 0 740 6 4)

摘　　要：利用基于高斯基函数的非限制Hartree Fock Roothaan (UHFR)方法 ,研究球型量子点的剩余电子填充效应 ,量子点的三维限制势采用了有限深势阱 .我们主要考虑量子点内电子相互作用 ,对于试探波函数中高斯基函数 ,采用了简化计算的两参数法 ,在此球型量子点中 ,可以得到类原子的剩余电子填充的壳层结构 .The unrestricted Hartree Fock Roothaan (UHFR) method based on the Gaussian basis is used to study the excess electron filling effects in spherical quantum dots, which is confined in three dimensional potential of finite depth. The electron electron interaction is mainly considered, and the two parameter method is used. This kind of quantum dot shows the shell structure of excess electron filling.

关 键 词：球型量子点 电子填充性质 UHFR 电子态 剩余电子填充效应 电子相互作用 基态能 半导体 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]