高速半导体光电探测器同轴封装工艺误差分析  

作　　者：刘昭谦[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第八研究所

出　　处：《电子制作》2016年第8期42-44,共3页Practical Electronics

摘　　要：由于同轴封装工艺误差对高速半导体光电探测器(Photoelectron Diode,PD)组件耦合效率的影响,会导致高速PD的接收灵敏度下降。为了减少同轴封装工艺的误差,分析了同轴封装工艺误差对高速PD耦合效率的影响,从而得出结论:高速PD组件中管帽倾斜、芯片横向偏移和芯片倾斜这三种情况产生的误差对高速PD组件耦合效率都有影响,其中管帽倾斜误差影响最大。

关 键 词：耦合效率 同轴封装 芯片横向偏移 芯片倾斜 管帽倾斜 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]