n-ZnO/i-ZnO/p-GaN异质结紫外探测器研究  

作　　者：张权林[1] 

机构地区：[1]国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心

出　　处：《电子世界》2016年第14期122-122,125,共2页Electronics World

摘　　要：本文在传统的半导体外延工艺上生长了氮化镓Ga N和氧化锌Zn O两种第三代宽禁带半导体薄膜,并在此基础上通过半导体器件工艺制备了n-Zn O/i-Zn O/p-Ga N异质结紫外探测器,I-V曲线和光响应度测试,器件显示了较低的反偏压漏电流和较强的紫外波段的光响应电流,优秀的性能充分地展示了该异质结探测器在军、民用中有着重要的应用前景。

关 键 词：氮化镓 氧化锌 半导体 外延 紫外探测器 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]