FD-SOI制程决胜点在14nm  

出　　处：《半导体信息》2016年第3期27-29,共3页Semiconductor Information

摘　　要：产业资深顾问Handel Jones认为,半导体业者应该尽速转移14纳米FD-SOI（depleted silicon-on-insulator）制程,利用该技术的众多优势…半导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28纳米以下之后的闸成本（gate cost）上扬;在制程微缩同时。

关 键 词：资深顾问 HANDEL 程节 depleted FD-SOI nm 单位面积 INSULATOR 制程技术 物联网 

分 类 号：F407.63[经济管理—产业经济]