电子注入对CdSe探测器性能的影响  

Effects of Electron Injection on the Properties of CdSe Radiation Detectors

作　　者：王雪敏[1] 朱世富[1] 赵北君[1] 金应荣[1] 陈松林[1] 何福庆[2] 彭秀峰[2] 龙先灌[2] 

机构地区：[1]四川大学材料科学系,成都610064 [2]四川大学原子核科学技术研究所,成都610064

出　　处：《四川大学学报（自然科学版）》2002年第4期689-691,共3页Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基　　金：教育部重点科技项目和骨干教师资助项目基金

摘　　要：研究了一种制作CdSe室温核辐射探测器的新工艺 ,并通过对CdSe室温核辐射探测器MIS接触电极电子注入机理的研究发现 ,CdSe探测器形成MIS接触电极可以降低表面漏电流 ,减小探测器噪声 ,提高探测器能量分辨率 .制备出的CdSe室温核辐射探测器对2 4 1Am 5 9.5keV和10 9Cd87keVγ射线的能量分辨率分别为 9.6 %和 7.5 % .By researching the electron injection of the CdSe detector with MIS contacts, it was found that the electron injection is the important reason which affects the properties of CdSe detectors. The enenrgy resolution of CdSe detectors with MIS contacts for 59.5keV line of 241 Am and 87keV line of 109 Cd γ ray at room temperature are 9.6% and 7.5% respectively. It can been concluded from the results that the MIS contacts can impede the electron injection and decrease the electronic noise, consequently the energy resolution of CdSe detector can be improved.

关 键 词：CdSe室温 核辐射探测器 电子注入 能量分辨率 MIS接触电极 制备工艺 表面漏电流 

分 类 号：TL814[核科学技术—核技术及应用]