毫米波亚毫米波频段硅基有源器件建模  

Active Modeling of Silicon Based Devices at Millimeter Wave and Sub-Millimeter Wave Band

作　　者：孙玲玲[1] 刘军[1] 文进才[1] 

机构地区：[1]杭州电子科技大学

出　　处：《科技资讯》2016年第8期172-172,共1页Science & Technology Information

摘　　要：毫米波亚毫米波频段无线通信具有频谱资源宽、传输定向性好、免许可等特点,而硅基纳米尺度技术为毫米波亚毫米波集成电路提供了良好的工艺平台,因此,硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统成为无线通信领域的研究热点。该报告针对硅基毫米波亚毫米波集成电路的关键-硅基有源器件的模型,从硅基毫米波有源器件模型和模型库方法、MOSFET小信号分析和模型方法和MOSFET大信号行为分析和模型方法三方面出发,对MOSFET的模型进行了深入的研究。通过项目的实施,探明了毫米波段硅基有源器件表征方法,基于该方法发展出PSP基毫米波亚毫米波MOSFET模型和模型库技术,并取得频率至100 GHz频段实用验证结果;已经开发出多种适用于毫米波亚毫米波MOSFET大、小信号建模的模型。以上研究所取得的成果,为硅基毫米波亚毫米波集成电路的发展奠定了坚实的基础。In this report, active modeling theory and technique is reported for silicon based devices at millimeter wave and sub--millimeter wave band.

关 键 词：毫米波 硅基 有源器件 模型 模型库 

分 类 号：TN015[电子电信—物理电子学]