功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计  

Optimization Design of Structure for Power AlGaN/GaN Schottky Diode

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作  者:徐儒[1] 郭伟玲[1] 孙晓[1] 陈艳芳[1] 李松宇 邹德恕[1] 孙捷[1] 

机构地区:[1]北京工业大学光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出  处:《微电子学》2016年第4期553-557,共5页Microelectronics

基  金:国家863基金资助项目(2015AA033305)

摘  要:利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数—击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4的厚度t对二极管击穿特性的影响。结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响。仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义。The basic structure of AlGaN/GaN Schottky diode(SBD)was designed by Silvaco-ATLAS,and the key parameter of power devices,breakdown voltage,was simulated.The effect of Al components in AlGaN/GaN heterojunction,the anode and cathode spacing Lac,the length of field-plate and the thickness of Si_3N_4 on breakdown characteristics were analyzed respectively.Results showed that the breakdown characteristics of the diode could be optimized by changing Lac,length of field-plate and thickness of Si_3N_4 under FP.But at the same time,the increase of Al components and Lacalso brought some negative impact on the diode.The simulation results can provide certain guides for fabricating the device.

关 键 词:AlGaN/GaN肖特基二极管 击穿特性 结构优化 

分 类 号:TN311.7[电子电信—物理电子学] TN313.4

 

参考文献:

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引证文献:

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