孙晓

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：ALGAN/GAN氮化镓肖特基势垒二极管GAN基发光二极管GAN更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学》《物理学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
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功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计
《微电子学》2016年第4期553-557,共5页徐儒 郭伟玲 孙晓 陈艳芳 李松宇 邹德恕 孙捷 
国家863基金资助项目(2015AA033305)
利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数—击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4...
关键词：AlGaN/GaN肖特基二极管 击穿特性 结构优化 
AlGaN/GaN SBD的正向导通特性研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2015年第5期420-423 452,452,共5页孙晓 郭伟玲 徐儒 朱彦旭 孙捷 陈艳芳 李松宇 邹德恕 
国家863资助项目(2015AA033305)
主要研究了横向AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(简称SBD)的正向导通特性,设计制备了基于蓝宝石衬底和硅衬底的不同器件结构的AlGaN/GaN SBD器件。测量结果表明,通过适当改变肖特基-欧姆电极布局,以及在导电衬底上施加相应的偏压,可以...
关键词：肖特基势垒二极管 铝镓氮/氮化镓 电极布局 衬底偏压 
GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究被引量：1
《物理学报》2015年第1期304-308,共5页白俊雪 郭伟玲 孙捷 樊星 韩禹 孙晓 徐儒 雷珺 
国家科技支撑计划(批准号:2011BAE01B14)资助的课题~~
理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象.针对目前报道的Ga N基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12V,19 V,51 V和80 V Ga N基高压发光二极...
关键词：GAN基发光二极管 高压 理想因子 串联单元 
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