GAN基发光二极管

作品数：49被引量：189H指数：8
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相关作者：王国宏李晋闽沈光地康香宁刘志强更多>>
相关机构：华灿光电(浙江)有限公司华灿光电(苏州)有限公司山东浪潮华光光电子股份有限公司中国科学院更多>>
相关期刊：《中国照明电器》《激光与红外》《半导体光电》《山东理工大学学报（自然科学版）》更多>>
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具有新型电极结构的功率发光二极管被引量：2
《光学学报》2022年第19期176-180,共5页方奥琪 郭伟玲 许昊 邓杰 陈佳昕 孙捷 
国家科技重大专项(2017YFB0403102)。
为进一步提高GaN基发光二极管(LED)的光效,以改进电极结构为研究点,设计并制备了具有叉指型电极形状,并在P/N电极下刻蚀出电极孔的新型电极结构。该结构使金属电极在P/N电极孔处分别与ITO层和N-GaN层直接接触,进而提高了器件的电流扩展...
关键词：光学器件 GAN基发光二极管 光电特性 热可靠性 
GaN基LED能效的研究进展被引量：6
《照明工程学报》2020年第1期8-15,共8页李梦梅 胡小玲 郭伟玲 
国家自然科学基金(批准号:11674016)
目前GaN已成为制作发光二极管(light emitting diode,LED)的主流材料,GaN基LED在照明和超越照明应用中占有不可替代的重要地位。随着LED外延和芯片技术的提升,LED的能效也得到了快速的提升。本文介绍了影响LED光源能效的因素;叙述了影响...
关键词：GAN基发光二极管 能效 内量子效率 外量子效率 
X射线和重离子辐射对GaN基发光二极管的影响
《微处理机》2019年第6期1-5,共5页王磊 李博 张学文 李彬鸿 罗家俊 刘新宇 袁清习 
针对航天军事核物理等应用环境,研究了白光光谱高能X射线和30MeV Si重离子辐射效应对蓝光InGaN/GaN多量子阱发光二极管的阈值电压、发光功率、发光波长及色坐标的影响,得出二极管阈值电压和发光功率随Si粒子注量的变化规律。对比研究结...
关键词：INGAN/GAN多量子阱 发光二极管 可见光通讯 X射线 重离子 辐射效应 位移损伤 
提高GaN基发光二极管光提取效率技术
《山东理工大学学报（自然科学版）》2019年第2期61-64,共4页张连俊 刘刚 张萌 
基于氮化物GaN的发光二极管为全彩色发光二极管显示屏和白光光源提供了新机遇。由于全内反射引起的低光提取效率,在分析了现有的提高光提取效率技术的基础上,采用在GaN基和图形化蓝宝石衬底上嵌入气隙光子晶体,减少线程错位,实验结果显...
关键词：发光二极管 光提取效率 光子晶体 外延侧生长 
电流对不同厚度GaN基白光LED可靠性的影响及光电特性研究被引量：3
《激光杂志》2019年第3期32-35,共4页曾繁响 刘倩 熊传兵 
国家自然科学基金(No.61307059;No.61405086)
制备不同厚度GaN基白光LED芯片为了研究不同厚度的芯片可靠性以及电流对光电特性的影响,应用了加速老化以及积分球测试的方法,对LED进行了电流应力的老化试验和光电性能测试,分析了光电参数在老化过程中的变化情况。实验结果显示,所有...
关键词：GAN基发光二极管 加速老化 积分球测试 光电性能 
GaN基发光二极管研究进展与可靠性问题
《数码设计》2018年第14期80-81,共2页任舰 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(17KJB510007).
凭借着发光效率高、使用寿命长、稳固性好和无化学污染等优点,GaN基发光二极管(LED)已被广泛应用于绿色智慧照明、仪器仪表和可见光通信等领域。随着芯片异形法、表面粗糙技术和光子晶体LED等技术的采用,GaN基LED性能获得不断提升。但是...
关键词：GAN 发光二级管 可靠性 
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1
《物理学报》2015年第18期446-455,共10页张超宇 熊传兵 汤英文 黄斌斌 黄基锋 王光绪 刘军林 江风益 
国家自然科学基金(批准号:51072076,11364034,61334001,21406076,61040060);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101,2012AA041002);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01)资助的课题~~
研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前...
关键词：氮化镓 发光二极管 自由支撑 光致发光 
GaN基发光二极管透明导电层与n-GaN方阻的匹配研究被引量：1
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2015年第1期229-232,共4页汪延明 付宏威 徐林炜 苗振林 梁智勇 许亚兵 戚运东 
研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响,结果表明,在一定电极图形设计下,当ITO方阻大于n-GaN层方阻时,电流朝P电极附近集中,当ITO方阻小于n-GaN层方阻时,电流朝N电极附近集中,只有在ITO与n-GaN方阻接近时,芯片电流扩展才最佳。
关键词：发光二极管 方阻 电流扩展 匹配 
侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究被引量：1
《厦门大学学报（自然科学版）》2015年第3期384-389,共6页李晓莹 朱丽虹 邓彪 张玲 刘维翠 曾凡明 刘宝林 
国家自然科学基金(11104230;60276029)
采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率是备受关注的研究课题.通过普通光刻技术和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构,有效提高了LED芯片的出光效率.由于侧壁几何...
关键词：GAN 发光二极管 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 侧壁粗化 出光效率 
GaN基高压发光二极管理想因子与单元个数关系研究被引量：1
《物理学报》2015年第1期304-308,共5页白俊雪 郭伟玲 孙捷 樊星 韩禹 孙晓 徐儒 雷珺 
国家科技支撑计划(批准号:2011BAE01B14)资助的课题~~
理想因子能够反映电流、载流子泄漏以及缺陷导致的非辐射复合等现象.针对目前报道的Ga N基发光二极管的理想因子的问题,通过对高压发光二极管I-V曲线的拟合计算出了理想因子n的数值,分别讨论了12V,19 V,51 V和80 V Ga N基高压发光二极...
关键词：GAN基发光二极管 高压 理想因子 串联单元 
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