28nm FD-SOI工艺嵌入式存储器即将问世  

出　　处：《中国集成电路》2016年第8期66-66,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：三星晶圆代工业务（Samsung Foundry）准备开始以28nmFD—SOI工艺，提供SST—MRAM（spintorque transfer magnetic RAM）以及快闪存储器，做为嵌入式非挥炭性存储器（eNVM）选项。

关 键 词：嵌入式存储器 SOI工艺 快闪存储器 晶圆代工 SST 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]