低功耗SoC系统的高精度带隙基准  

作　　者：蒋本福[1] 尹雪梅[1] 李嘉[1] 

机构地区：[1]吉林大学珠海学院

出　　处：《电子世界》2016年第19期167-168,共2页Electronics World

摘　　要：本文设计了一种低功耗带隙基准电路,电路在1.2V电压下能正常输出电压0.865V。采用CSMC0.18μm的标准CMOS工艺,使用华大九天Aether软件验证平台,仿真结果如下:在tt工艺角下电路启动时间为7.88 us,稳定输出基准电压vref为865 mV;当电源电压为1.2V时,tt工艺角下电路的总电流为250.428nA,功耗为300.514nW;当温度在-40℃-125℃时,tt工艺角下基准电压vref的温度系数为28.236ppm/℃;电路工作电源电压范围为1 V-3 V,tt工艺角下基准电压的线性度为6.6ppm/V;在1Hz-1KHz带宽范围内,tt工艺角下基准电压vref的电源抑制比PSRR为45.10 dB;版图核心面积为0.00618mm^2。

关 键 词：基准电压 亚阈值 SOC 

分 类 号：TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]