TI推出业内电阻最低的60V N通道功率MOSFET  

出　　处：《半导体信息》2016年第4期17-17,共1页Semiconductor Information

摘　　要：德州仪器（TI）近日推出新型60VN通道功率FemtoFET功率晶体管，电阻实现业内最低，比传统60V负载开关低90％，同时，使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1．53ram×0．77mm硅基封装，其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80％。

关 键 词：功率MOSFET N通道 内电阻 TI SOT-23 负载开关 功率晶体管 德州仪器 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]