离子入射Au靶材表面过程中电子能损的模拟研究  

作　　者：曾利霞[1] 

机构地区：[1]咸阳师范学院物理与电子工程学院,陕西咸阳712000

出　　处：《黑龙江科技信息》2016年第13期36-36,共1页Heilongjiang Science and Technology Information

基　　金：咸阳师范学院教育教学改革项目(201402011);咸阳师范学院专项科研项目(12XSYK018)

摘　　要：本文利用了SRIM软件计算了不同能量下的H+、Arq+和Xeq+离子入射Au靶表面过程中的电子能损和穿透深度。通过计算分别给出了这三种离子的电子能损与入射能量和单核子入射能量的关系,同时还发现当离子以相同的单核子能量入射时,原子序数越大的离子穿透深度越大。计算结果将为相关的实验研究提供参考数据。

关 键 词：SRIM软件 离子 入射动能 电子能损 

分 类 号：O571.6[理学—粒子物理与原子核物理]