电子能损

作品数：26被引量：29H指数：3
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相关机构：中国科学院近代物理研究所北京大学兰州大学北京师范大学更多>>
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50~250keV质子入射SiC和Si靶时的电子发射特性研究
《原子与分子物理学报》2023年第6期111-116,共6页曾利霞 周贤明 梅策香 李耀宗 柳钰 张小安 
国家自然科学基金(11605147);陕西省自然科学基金(2019JQ-493,2021JQ-812);陕西省教育厅科研计划(20JK0975,16JK1824);陕西高校青年杰出人才支持计划;咸阳师范学院“中青年拔尖人才”项目(XSYBJ202004);咸阳师范学院“学术带头人”项目(XSYXSDT202109);咸阳师范学院专项科研基金(XSYK19042,XSYK19043);咸阳师范学院校级金课建设项目;咸阳师范学院2020年课程思政示范课项目;咸阳师范学院、陕西省教育学会2021教育教学改革研究项目(2021Y012)。
在中国科学院近代物理研究所兰州重离子加速器国家实验室测量了能量范围为50~250 keV的质子入射碳化硅靶和硅靶表面的电子发射产额.实验结果发现,两种半导体靶材的电子发射产额随质子入射能量变化趋势均与作用过程中电子能损随质子入射...
关键词：质子 电子发射产额 功函数 电子能损 
645 MeV Xe^(35+)离子辐照SiO_(2)在线光发射的研究被引量：2
《物理学报》2023年第4期53-64,共12页徐秋梅 缑洁 张崇宏 杨治虎 王彦瑜 韩旭孝 李建洋 
国家自然科学基金(批准号:12104463,U1532262)资助的课题。
离子辐照可以改变二氧化硅(SiO_(2))的晶体结构和光学性质.采用645 MeV Xe^(35+)离子辐照SiO_(2)单晶,在辐照过程中,利用光栅光谱仪测量在200—800 nm范围内的光发射.在发射光谱中,观测到中心位于461和631 nm的发射带.这些发射带是弗伦...
关键词：带状发射谱 快重离子 电子能损 二氧化硅 
低能离子与物质相互作用中电子能损微观机制的研究进展
《北京师范大学学报（自然科学版）》2022年第5期755-762,共8页张丰收 付艳龙 毛飞 李长楷 张超 
国家自然科学基金资助项目(12147159,12135004,11635003,11961141004,12105091,12047513,11975119)。
深入了解离子与物质的相互作用是研究材料抗辐照性能以及应用离子束技术的基础和关键.离子的能量沉积是导致材料辐照损伤的根本原因,所以研究离子碰撞过程中的能损机制显得尤为重要.本文从离子与物质相互作用机制的研究背景和应用价值出...
关键词：离子与物质相互作用 电子能损 电子阻止本领 低能离子 
离子在近电子能损阈值能区诱发云母表面小丘形成被引量：1
《原子能科学技术》2019年第5期769-775,共7页靳博 魏龙 牛犇 张琦 李鹏飞 包良满 雷前涛 管世王 靳定坤 宋光银 谢一鸣 哈帅 崔莹 马越 张红强 陈熙萌 
国家自然科学基金资助项目(11475075;11775103)
利用0.65 MeV的He^+离子轰击白云母膜,并在大气环境下用原子力显微镜(AFM)的轻敲模式分析了辐照后的膜表面。实验结果显示,在不同温度下离子诱导的小丘高度在小于1 nm到几nm之间,且室温条件下能诱发小丘生成的He^+离子电子能损阈值在0.4...
关键词：小丘结构 白云母 热退火 电子能损阈值 
Xe/Pb离子辐照对注碳SiO_2发光特性的影响
《功能材料》2018年第1期1055-1058,1063,共5页刘纯宝 陈兰芳 蔡鲁刚 
山东省博士基金资助项目(BS2012CL001);菏泽学院博士基金资助项目(XYBS03(2015))
先用100keV碳离子注入非晶态SiO_2薄膜,再用高能Xe或Pb离子辐照对样品室温下辐照,然后用光谱仪对样品进行分析。实验结果显示,高能Xe或Pb离子的辐照能显著影响样品的发光特性,发光峰的改变与碳的注入剂量、高能离子的种类和能量以及辐...
关键词：光致发光谱 离子辐照 缺陷 电子能损 SIO2 
离子入射Au靶材表面过程中电子能损的模拟研究
《黑龙江科技信息》2016年第13期36-36,共1页曾利霞 
咸阳师范学院教育教学改革项目(201402011);咸阳师范学院专项科研项目(12XSYK018)
本文利用了SRIM软件计算了不同能量下的H+、Arq+和Xeq+离子入射Au靶表面过程中的电子能损和穿透深度。通过计算分别给出了这三种离子的电子能损与入射能量和单核子入射能量的关系,同时还发现当离子以相同的单核子能量入射时,原子序数越...
关键词：SRIM软件 离子 入射动能 电子能损 
O^(2+)离子穿过碳膜引起的前后表面电子发射
《原子核物理评论》2014年第1期92-95,共4页虞洋 赵永涛 王瑜玉 王兴 程锐 周贤明 李永峰 刘世东 雷瑜 孙渊博 
国家重点基础研究发展计划项目(973计划)(2010CB832902);国家自然科学基金资助项目(11075192;11105192;11275241;11275238;11205225)~~
测量了入射能为1.9~11.3 keV/u的O^(2+)离子穿过碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额。实验中,通过改变入射离子的能量和流强,系统地研究了电子能损和离子束流强度对前向、后向电子发射产额的影响。结果表明...
关键词：电子发射 电子能损 离子束流强度 
近玻尔速度Ne^(2+)离子穿过碳膜引起的电子发射
《物理学报》2013年第15期433-438,共6页虞洋 赵永涛 王瑜玉 王兴 程锐 周贤明 李永峰 刘世东 雷瑜 孙渊博 曾利霞 
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832902);国家自然科学基金(批准号:11075192;11105192;11275241;11275238;11205225)资助的课题~~
本文测量了入射能为2—25keV/u的Ne2+离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向(分别对应出射表面和入射表面)电子发射产额.实验中通过改变炮弹离子的能量,系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献.结...
关键词：近玻尔速度 电子发射 电子能损 反冲原子 
快重离子辐照金红石型TiO_2的肿胀效应及化学蚀刻行为研究被引量：1
《原子核物理评论》2011年第3期326-331,共6页罗捷 孙友梅 侯明东 段敬来 常海龙 刘杰 
国家自然科学基金资助项目(10775162)~~
二氧化钛(Titatium Dioxide,简称TiO2)晶体在中能重离子辐照时表面会出现肿胀效应,肿胀高度与入射离子的电子能损和辐照注量有关。辐照后的TiO2在一定条件下能够被氢氟酸溶液化学蚀刻,化学蚀刻的电子能损阈值为8.2 keV/nm,未辐照TiO2呈...
关键词：TIO2 辐照肿胀 化学蚀刻 电子能损 
分子动力学研究SiC材料中的辐照损伤过程
《北京大学学报（自然科学版）》2009年第3期385-389,共5页何斌 薛建明 邹雪晴 王宇钢 
国家重点基础研究发展计划项目(2008CB717803)资助
利用分子动力学方法模拟了SiC材料的辐照损伤过程,对缺陷的产生规律以及电子能损的影响进行了研究。模拟中,SiC原子之间的作用势采用Tersoff经验势,入射离子采用了10 keV的Si和200 keV的Au。在200 keV的Au原子入射的情况下,利用iontrac...
关键词：分子动力学 电子能损 辐照损伤 SIC 
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