碳化硅半导体材料研究进展及其产业发展建议  

作　　者：李丽婷 

机构地区：[1]厦门市科学技术信息研究院

出　　处：《厦门科技》2016年第5期1-11,共11页Xiamen Science & Technology

摘　　要：碳化硅特点及应用碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点,是新世纪有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料。SiC晶片和外延衬底在通信、汽车、电网、航空、航天、石油开采以及国防等各个领域有着广泛的应用前景,其主要用途如表1。

关 键 词：临界击穿电场 硅半导体 材料研究进展 半导体材料 外延衬底 第三代 石油开采 禁带 专利申请 外延工艺 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]