禁带

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超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)功率器件、紫外光电器件的新进展(续)
《半导体技术》2025年第5期417-434,共18页赵正平 
在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下,宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流,而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_(2)O_(3)和AlN已成为目前前瞻性的科研热点,其中Ga_(2)O_(3...
关键词：超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 功率二极管 功率FET 紫外光电器件 
玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300 ℃长期运行
《电子与封装》2025年第4期84-84,共1页
宽禁带半导体材料优势显著,但随着功率器件小型化、集成化及功率密度提升,热管理面临重大挑战。以环氧塑封料(EMC)和硅凝胶为代表的有机灌封材料将SiC器件结温限制在200℃以内,亟需更优灌封材料来缓解器件绝缘和散热压力,并提升器件可...
关键词：宽禁带半导体材料 热管理 玻璃基灌封材料 
三角形腔耦合MIM波导的禁带滤波和传感特性研究
《贵州科学》2025年第2期91-96,共6页杨凤英 程龙 陈跃刚 
国家自然科学基金(11764006);贵州省高等学校教学内容和课程体系改革项目(2021369,2022369);贵州省教育科学规划项目(2022C017)。
光学谐振腔的选频特性在微纳光电子器件中具有重要应用。本文在金属-介质-金属波导的侧面设计多三角形腔以实现禁带滤波器。首先,利用时域有限差分法计算2个三角形微腔结构的光谱响应曲线,结合电磁场分布分析模式的共振物理机制。其次,...
关键词：表面等离子激元 三角形谐振腔 波导 禁带滤波 纳米传感 
《宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成》专栏发刊词
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期I0001-I0001,共1页
宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料,展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进,传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题,难...
关键词：电力电子系统 材料 电路 宽禁带半导体 器件 
氧化镓射频器件研究进展
《固体电子学研究与进展》2025年第2期1-11,共11页郁鑫鑫 沈睿 谯兵 李忠辉 叶建东 孔月婵 陈堂胜 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3605504)。
氧化镓(Ga_(2)O_(3))是性能优异的超宽禁带半导体材料,不仅临界击穿场强大、饱和速度高,而且具有极高的巴利加优值和约翰逊优值,在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于Ga_(2)O_(3)射频器件,首先介绍了Ga_(2)O_(3)在射频...
关键词：氧化镓 超宽禁带 射频器件 
超宽禁带半导体Ga_(2)O_(3)功率器件、紫外光电器件的新进展
《半导体技术》2025年第4期313-332,共20页赵正平 
在电动汽车等绿色能源应用和发展的带动下,宽禁带半导体材料SiC、GaN电力电子产业成为新一代产业的发展主流,而有可能成为下一代电力电子学发展的超宽禁带半导体材料金刚石、Ga_(2)O_(3)和AlN已成为目前前瞻性的科研热点,其中Ga_(2)O_(3...
关键词：超宽禁带半导体 Ga_(2)O_(3) 功率二极管 功率FET 紫外光电器件 
导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点
《人工晶体学报》2025年第3期414-419,共6页杨文娟 卜予哲 赛青林 齐红基 
国家重点研发计划(2022YFB3605500)。
β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 位错 X射线形貌分析术 导模法 腐蚀法 
c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
《人工晶体学报》2025年第3期420-425,共6页王子铭 张雅超 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_...
关键词：ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜 
双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究
《人工晶体学报》2025年第3期426-437,共12页王月飞 高冲 吴哲 李炳生 刘益春 
科技部重点研发计划(2019YFA0705202);国家自然科学基金(62274027,62404039);松山湖材料实验室开放研究基金(2023SLABFK03)。
本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 金属有机化学气相沉积 外延生长 异质结 紫外光电探测 
新型亚氧化物化学气相传输工艺低成本生长β-Ga_(2)O_(3)厚膜
《人工晶体学报》2025年第3期445-451,共7页陈旭阳 李昊勃 秦华垚 许明耀 卢寅梅 何云斌 
国家自然科学基金(62274057,11975093,52202132);湖北省高等学校优秀中青年科技创新团队计划项目(T201901)。
β-Ga_(2)O_(3)作为一种超宽禁带半导体材料,在功率器件领域具有广阔的应用前景。本工作提出一种快速外延生长β-Ga_(2)O_(3)晶态厚膜的新方法——亚氧化物化学气相传输(SOCVT);该方法具有操作简单、设备价格低廉等优势。利用液态Ga和固...
关键词：亚氧化物化学气相传输 β-Ga_(2)O_(3) 厚膜 低成本 超宽禁带半导体 
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