封面图片说明  

作　　者：宋波[1] 韩杰才[1] 郝润豹 李加杰[1] 王先杰[1] 

机构地区：[1]哈尔滨工业大学航天学院

出　　处：《哈尔滨工业大学学报》2016年第11期13-13,共1页Journal of Harbin Institute of Technology

摘　　要：封面图片来自本期论文＂铁电极化调控Sn Se薄膜光电性质研究＂,是哈尔滨工业大学航天学院所制作的Sn Se薄膜在不同波长照射下光电导的变化情况及电荷转移过程示意图.Sn Se作为一种p型窄禁带半导体（约为0.86 e V）,可吸收大部分波段的太阳光.作为一种典型的铁电材料,极化后的铌酸锂晶体上下表面分别带异号的电荷,当铌酸锂晶体表面沉积Sn Se薄膜时,在铌酸锂退极化场的作用下,

关 键 词：铌酸锂晶体 退极化场 电荷转移过程 图片说明 铁电材料 光电性质 窄禁带半导体 光电导 电极化 异号 

分 类 号：O734.1[理学—晶体学]