多晶硅的高重频皮秒脉冲激光损伤研究  

作　　者：李星辰[1] 吴强[1] 孙鹏飞[1] 蔡鹏程[1] 辛敏思 

机构地区：[1]长春理工大学,吉林长春130000

出　　处：《科技创新与应用》2016年第34期63-64,共2页Technology Innovation and Application

摘　　要：文章进行了高重频皮秒激光辐照多晶硅的损伤实验研究,分析了多晶硅材料激光辐照区域的损伤形貌,探究了多晶硅的多脉冲损伤损伤机制。实验结果表明:多晶硅的损伤形貌主要分为热熔区、热影响区及激光无作用区三个区域。多晶硅的多脉冲损伤机制主要是热积累和微缺陷积累。

关 键 词：多晶硅 高重频脉冲 激光损伤 损伤机理 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学]