磁共振灌注成像对TIA疾病治疗及预后的应用价值  

作　　者：赵剑婷[1] 王慧敏[1] 董敏[2] 车振勇[3] 

机构地区：[1]河南新乡市中心医院神经内科特需病房,新乡453000 [2]新乡医学院第四附属医院,新乡453000 [3]河南新乡市中心医院,新乡453000

出　　处：《中国实用神经疾病杂志》2016年第24期66-68,共3页Chinese Journal of Practical Nervous Diseases

基　　金：新乡市重点科技攻关项目;编号:ZG14018

摘　　要：目的探讨磁共振弥散灌注成像(PWI)对TIA疾病的治疗及预后的应用价值。方法回顾性分析新乡市中心医院经临床表现、病史和影像学检查确诊TIA患者的脑血流量(CBF)、脑血容量(CBV、平均通过时间(MTT)、达峰时间(TTP)等参数,根据PWI结果对TIA患者进行分期,并分析脑灌注异常与患者临床表现的关系。结果颅内血管狭窄是PWI阳性最重要的因素(P=0.000);从症状发作到MRI扫描的时间是灌注阳性的重要变量,时间越短,PWI越容易出现阳性;PWI阳性与冠心病(P=0.0.037)和高血脂(P=0.000)有关,与患者的年龄、性别及其他血管危险因素无关(P>0.05);PWI阳性与偏瘫(P=0.000)有关,与其他症状无关;PWI阳性与TIA持续时间和发作次数无关;根据PWI血流参数分期,Ⅰ期TIA6例,Ⅱ期TIA9例,Ⅰ期短暂性脑缺血发作患者患侧灌注参数TTP、MTT与健侧比较显著较高(P<0.05),而CBF、CBV未见明显改变(P>0.05);Ⅱ期短暂性脑缺血发作患者患侧灌注参数TTP、MTT与健侧比较显著较高(P<0.05),患侧CBF与健侧比较显著较低(P<0.05),而CBV未见明显改变(P>0.05)。结论 PWI能够显示TIA患者发作间期的脑灌注异常,其可为TIA的诊断、治疗提供进一步的影像学依据。

关 键 词：磁共振 灌注成像 TIA 

分 类 号：R743.31[医药卫生—神经病学与精神病学]