AlGaAs/AlAs体系DBR的MOCVD生长及表征  

AlGaAs/AlAs DBR Growth by MOCVD and Its Uniformity

作　　者：尉吉勇[1] 黄柏标[1] 于永芹[1] 周海龙[1] 岳金顺 王笃祥 潘教青[1] 秦晓燕[1] 张晓阳[1] 徐现刚[1] 

机构地区：[1]山东大学晶体生长国家重点实验室,山东济南250100 [2]山东华光光电子有限公司,山东济南250100

出　　处：《光电子．激光》2002年第8期781-783,共3页Journal of Optoelectronics·Laser

摘　　要：设计并利用 MOCVD在 (311) Ga As衬底上生长了 12 .5个周期的 Al0 .6 Ga0 .4 As/ Al As黄绿光分布式 Bragg反射 (DBR)体系 ,测量了白光反光谱及其外延片峰值波长分布 ,反射率 90 %以上 ,波长不均匀性在 1.0 %以下 ;利用了 X射线双晶衍射对其进行结构表征 ,5 80 nm波长 DBR结构周期为 84 .5 nm。Design and growing 12.5 period Al 0.6 Ga 0.4 As/AlAs distributed Bragg reflection (DBR) structure by MOCVD on (311) GaAs substrates.By white light reflection mapping,the peak reflect wavelength uniformity is about 1.0 %,and absolute reflection of these DBR can reach above 90 %,The structure was investigated by double crystal X ray diffraction,and the DBR period of 84.5 nm for 580 nm wavelength was obtained.

关 键 词：AlGaAs/AlAs体系 DBR MOCVD 分布式Bragg反射 白光反射谱 双晶X衍射 铝镓砷三元体系 分布式布喇格反射 半导体 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]