瞬态电压抑制二极管的概述和展望  

A review of transient voltage suppression diodes

作　　者：杨尊松 王立新[1] 肖超[1] 陆江[1] 李彬鸿 

机构地区：[1]中国科学院大学中国科学院微电子研究所中国科学院硅器件技术重点实验室,北京100029

出　　处：《电子设计工程》2016年第24期108-112,共5页Electronic Design Engineering

基　　金：国家自然科学基金(61404169;61404161)

摘　　要：文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面所取得的理论和技术突破。最后提出了TVS的低压集成化等发展趋势。This paper reviewed the preparation process and the main structure oftransient voltage suppression diode （TVS）, for the purposeof improving TVSRD capabilities in our country, through researching TVS＇s development and research focus in recent years.Meanwhile,the working mechanism and main parameters of TVS are introduced, and the theory and technology of TVSin low voltage and low leakage in recent years are described.Finally, the development tendency of TVS diodes in the future is proposed.

关 键 词：瞬态电压抑制二极管 TVS 研究现状 

分 类 号：TN31[电子电信—物理电子学]