陆江

作品数:3被引量:17H指数:1
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集成电路和功率器件抗辐射工艺加固技术研究综述
《原子能科学技术》2024年第S02期512-526,共15页李博 王磊 刘凡宇 陈思远 陆江 舒磊 
国家重点研发计划(2022YFB4401700);国家自然科学基金(U22B2043,62374184)。
随着我国空间装备的高速发展,尤其是深空探测器,微电子器件抗辐射性能得到广泛关注。抗辐射工艺加固是实现器件抗辐射性能提升的重要途径之一。本文围绕空间总剂量效应和单粒子效应,对近年来集成电路和功率器件辐射效应机理和工艺加固...
关键词:工艺加固 总剂量效应 单粒子效应 集成电路 功率器件 
MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究被引量:1
《微电子学》2017年第2期250-253,共4页杨尊松 王立新 肖超 宋李梅 罗小梦 李彬鸿 陆江 孙博韬 
国家自然科学基金资助项目(61404169;61404161)
通过交流电导法,对经过不同时间N_2O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N_2O RTP对Si-SiO_2界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO_2界面陷阱密度随N_2O快速热处...
关键词:Si-SiO2界面 电导法 界面特性 辐照特性 
瞬态电压抑制二极管的概述和展望被引量:16
《电子设计工程》2016年第24期108-112,共5页杨尊松 王立新 肖超 陆江 李彬鸿 
国家自然科学基金(61404169;61404161)
文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国际上TVS在低压低电容和低漏电流方面...
关键词:瞬态电压抑制二极管 TVS 研究现状 
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