脑深部电刺激治疗难治性精神疾病局部场电位的研究  

作　　者：王滔(综述)[1] 张陈诚(综述)[1] 马梅方(综述) 张新静(综述) 李殿友(综述)[1] 金海燕(综述)[2] 沈志明(综述)[5] 孙伯民(审校)[1] 

机构地区：[1]上海交通大学医学院附属瑞金医院功能神经外科,200025 [2]上海交通大学医学院附属瑞金医院心理科,200025 [3]Blackrock Microsystems, Salt Lake City, USA [4]苏州景昱医疗器械有限公司,215123 [5]中国科学院神经科学研究所,上海200031

出　　处：《中国微侵袭神经外科杂志》2016年第11期520-522,共3页Chinese Journal of Minimally Invasive Neurosurgery

基　　金：国家自然科学基金(编号:81271518,81471387);上海交通大学医学院-中科院神经所脑疾病临床研究中心

摘　　要：脑深部电刺激(DBS)在治疗运动障碍和难治性精神疾病方面已取得许多积极的结果 ,但其作用机制仍未完全阐明。通过记录深部脑区各结构的局部场电位,DBS手术为研究不同疾病的异常脑回路提供难得机会。本文尝试对该领域内精神疾病相关神经元异常活动的电生理表现特点及对DBS治疗的参考意义进行总结。

关 键 词：脑深部电刺激 局部场电位 精神疾病 难治性 

分 类 号：R749[医药卫生—神经病学与精神病学]