微电路耐高过载技术研究和发展浅述  

作　　者：夏俊生 肖雷 李寿胜 

机构地区：[1]中国兵器工业第214所,蚌埠233030

出　　处：《集成电路通讯》2016年第4期28-32,共5页

摘　　要：耐高过载技术研究主要有两个重要方向，其一是产品对象的外在耐高过载加固和缓冲防护技术，其二是器件自身的结构、工艺和材料技术。影响基板自身抗过载水平的主要因素包括基体材料、基板尺寸和结构等。为保证元件具有足够的粘接强度来承受高过载冲击，分别针对元件与基板粘接、基板与外壳粘接采取了专门的粘接和加固技术。为有效提高电路封装结构耐高过载能力，在金属外壳封装结构设计、封装内基板分割设计等方面采用了专门的技术措施。

关 键 词：耐高过载 技术研究和发展 基板 组装和封装 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]