瑞萨电子宣布开发出鳍状MONOS闪存单元  

出　　处：《电子产品世界》2017年第1期82-82,共1页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：瑞萨电子株式会社近日宣布成功开发出分离闸金属氧化氮氧化硅（SG-MONOS）闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16nm至14nm，或更细的片上闪存微控制器（MCU）。

关 键 词：闪存微控制器 单元 开发 电子 鳍 氮氧化硅 金属氧化 株式会社 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]