半导体所研制出GaN基紫外激光器  

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所

出　　处：《人工晶体学报》2016年第12期2855-2855,共1页Journal of Synthetic Crystals

摘　　要：2016年12月14日,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体,在光电子学和微电子学领域有广泛的应用,其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值,也是国际上的研究热点。

关 键 词：中国科学院半导体研究所 紫外激光器 GAN 集成光电子学 国家重点实验室 微电子学 紫外固化 研究员 

分 类 号：TN3-24[电子电信—物理电子学]