低剂量电离辐射对C6脑肿瘤干细胞增殖分化及凋亡的影响  

作　　者：丁银秀[1,2] 张自新[3] 马江波[1,2] 冯利强[1,2] 刘印明[1,2] 

机构地区：[1]宁夏医科大学颅脑疾病重点实验室,宁夏银川750004 [2]宁夏医科大学基础医学院人体解剖和组织胚胎学系,宁夏银川750004 [3]宁夏医科大学总医院肿瘤医院放疗科,宁夏银川750004

出　　处：《宁夏医学杂志》2017年第1期80-83,共4页Ningxia Medical Journal

基　　金：宁夏自然科学基金资助项目(NZ14136);国家自然科学基金地区项目(81360062)

摘　　要：目的观察低剂量电离辐射对C6 BTSCs增殖、分化及凋亡的影响。方法进行C6 BTSCs的悬浮培养,应用倒置相差显微镜观察干细胞的生长特性,通过Brd U和CD133免疫荧光染色法明确C6 BTSCs的增殖情况,流式细胞分析法观察低剂量电离辐射后C6 BTSCs的凋亡情况。结果在无血清条件培养基的作用下,悬浮培养的C6 BTSCs增殖速度快,干细胞数量较多;低剂量电离辐射后,0.3 Gy组促进C6 BTSCs增殖和分化能力,且0.3Gy组C6 BTSCs存活细胞数量较多,凋亡的细胞数量较少,与对照组或3.0 Gy组比较,差异有统计学意义(P<0.05)。结论 C6胶质瘤细胞系中存在具有干细胞特性的C6 BTSCs,且低剂量电离辐射刺激对C6 BTSCs的增殖、分化具有促进作用。

关 键 词：C6脑肿瘤干细胞 低剂量电离辐射 流式细胞分析 

分 类 号：R739.41[医药卫生—肿瘤]