浅析SiC材料特性及生长工艺  

作　　者：瞿诗瑜[1] 

机构地区：[1]陕西广播电视大学,陕西西安710119

出　　处：《黑龙江科技信息》2016年第27期110-111,共2页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：SiC材料因为具有宽禁带、较高的临界击穿电场、较高的饱和电子速率以及非常高的热导率等优良特性,非常适合被用来制作高温、高频、大功率器件。本文对SiC的晶体结构及材料特性进行了简单介绍,并浅析了SiC材料的生长工艺及优缺点,对后续SiC研究趋势进行了展望。

关 键 词：SIC 材料 工艺 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]