稀磁半导体材料的研究进展概述  

作　　者：李银成 

机构地区：[1]闽南科技学院光电系,福建泉州362300

出　　处：《黑龙江科技信息》2016年第32期40-40,共1页Heilongjiang Science and Technology Information

摘　　要：稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。

关 键 词：稀磁半导体 磁性 进展 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]